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使用5位非易失性光子存储单元实现快速可靠的光学存储

2019-02-28

在光子芯片上进行光学存储和访问数据是特别令人感兴趣的,因为这种方法将消除数据存储中的光电转换损耗。它还可以通过高保真度的多数据存储实现片上非冯诺依曼光子计算。本文展示了一种光学寻址的多级存储器,它能够使用集成在光子波导上的相变材料Ge2Sb2Te5存储多达34个非易失性可靠和可重复的电平(超过5位)。至关重要的是,本文首次展示了一种允许使用单脉冲对器件进行编程的技术,而不管材料的先前状态如何。这与以前的演示实验相比,改进了一个数量级的时间和能量消耗。本文还研究了写入和擦除脉冲参数对多级存储器中单脉冲重结晶、非晶化和读出误差的影响,从而调整脉冲特性以获得最佳性能。本文的工作代表了光子存储器发展的重要一步,并表现出了它们在新型集成光子应用中的巨大潜力。

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